深圳眾誠達應用材料科技有限公司生產(chǎn)銷售磁控濺射用的靶材。中頻磁控濺射對靶和磁場的設計以及工作氣壓要求很高，中頻磁控濺射是直流磁控濺射沉積速率的2到3倍。中頻磁控濺射是兩個靶工作，制備化合物膜層，由于其離化率低很難找到一個最佳的中毒點，對工作氣體的流量控制要求很嚴格。若控制不好則很難制備均勻和結合力好的膜層。再就是磁場的設計主要是磁場分布的均勻性這樣既可以提高靶材的利用率，另外對于最佳中毒點工作時的穩(wěn)定性也有很大提高   磁控濺射的離子能量和繞射性都遠低于多弧靶面，與工件的距離是很重要的，太近離子對工件的轟擊可以損壞膜層，太遠則偏離了最佳濺射距離制備的膜層結合力很差。

深圳眾誠達應用材料科技有限公司生產(chǎn)銷售的靶材應用于存儲領域。在儲存技術方面，高密度、大容量硬盤的發(fā)展，需要大量的巨磁阻薄膜材料，CoF ~Cu多層復合膜是如今應用廣泛的巨磁阻薄膜結構。磁光盤需要的 T b F e C o合金靶材還在進一步發(fā)展，用它制造的磁光

盤具有存儲容量大，壽命長，可反復無接觸擦寫的特 點。如今開發(fā)出來的磁光盤，具有 T b F e C o / T a和 T b F e C o / Al 的 層復合膜結構， T bF eCo/AI結構的Kerr 旋轉角達到5 8，而T b F e Co f F a 則可以接近0.8。經(jīng)過研究發(fā)現(xiàn)， 低磁導率的靶材高交流局部放電電壓 l 抗電強度。